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三星将量产20纳米制程DDR3内存 高性能省钱又省电

作者:jifang 来源: 日期:2014-3-15 14:20:17 人气: 标签:
三星在本周宣布将量产20nm 4G DDR3内存颗粒,体积更小,性能更高。DDR3可用在台式机,笔记本电脑,超极本和平板电脑,三星表示该产品会让消费者既省电又省钱。 三星新20纳米DRAM 半导体工艺生产当中,晶体管越小,单位体积内容纳的晶体管越多,电路越小,生产成本越低。“我们相信用户会显著降低拥有成本”三星发言人说。 从2009年的50nm制程技术到2010年的30nm,再到2011年25nm,直到今天的20nm制程技术,在过去的五年中三星的DRAM晶体管技术发生了翻天覆地的变化。 虽然NAND闪存已经率先走向个位数纳米工艺,(虽然在19nm水平呆了一段时间) , 但是DRAM仍然保有相当的竞争力。 NAND闪存不同大小的模具 在DRAM当中,每个单元都有一个电容器,并且通过晶体管彼此连接,而NAND中每个单元只有一个晶体管。 三星表示能够完善其DRAM的设计和制造技术,并提出了一个“双成型技术和ALD。 ”在微电路,如DRAM或NAND闪存,高密集的纳米结构是必需的。ALD是使薄膜具有精确均匀沉积的纳米结构技术。双成型技术,简单地说,是一个加倍功能模块数量的方法。 三星表示,双重图形技术是一个具有里程碑意义的技术。通过使用当前的光刻设备来生产20nm的DDR3,它已经找到了一个生产下一代10纳米级DRAM的核心技术。 三星还成功做出超薄介电层的单元电容器,具有前所未有的均匀性,带来更高的性能。文章由嘉和数据恢复整理 分享网址www.jhdata.com 采用新的工艺,三星的4Gbit DDR3的20nm比25纳米DDR3提高了30%的生产效率,比30纳米级DDR3提高了超过两倍的生产效率。 “新的20纳米4GB DDR3比起之前的25纳米制程技术的DDR3可以节省25%的电量 ”三星表示。 三星已经开始提供新的DDR3芯片给了一部分厂商,预计将在今年晚些时候推出的相关产品。 
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